随着5G基站、新能源汽车爆发式增长，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半导体材料需求激增。然而，其生产对超纯水的金属离子、TOC等指标要求比硅基芯片严苛10倍以上。如何突破水质瓶颈？百惠浦半导体超纯水设备通过创新技术给出答案。  

       一、第三代半导体对超纯水的极致要求  

       - 金属离子≤0.01ppt：Na⁺、K⁺等残留会导致GaN外延层缺陷；  

       - TOC≤0.5ppb：有机物污染将引发SiC晶圆表面微管；  

       - PH值精准控制：碳化硅蚀刻废水需耐受强酸强碱环境。  

       二、百惠浦设备技术方案与优势  

       1. 双级抛光混床+靶向吸附树脂  

       采用纳米级离子交换树脂选择性吸附金属离子，实测Na⁺浓度低至0.007ppt，突破行业极限。  

       2. 抗酸蚀RO膜技术  

       膜表面镀覆碳化硅涂层，可在pH=2~12环境下稳定运行，延长膜寿命至5年以上。  

       3. 在线SPE-TOC联用检测系统  

       通过固相萃取与总有机碳分析联用，实时监测超痕量有机物，确保外延生长“零污染”。  

       三、客户案例：某功率器件大厂良率提升数据  

       某全球TOP3 SiC模块厂商采用百惠浦设备后：  

       - 晶圆良率从82%提升至89%，年增产值超2亿元；  

       - 设备停机率下降70%，耗材更换成本节省35%；  

       - 支持8英寸GaN产线扩产，流量扩展至20T/H无压力。  

       四、国产超纯水设备的未来布局  

       百惠浦环保，是研产销一站式服务的厂家，拥有多家分工厂、分公司，服务多家国内外龙头企业，已通过ISO9001体系认证，深耕水处理行业近20年，合作案例1000+，纯水处理，就找百惠浦！纯水设备系统解决方案全球提供商，根据客户水质需求提供设计、设备、工程、服务一站式服务，企业水处理难题，百惠浦环保为你解决！